收藏本站
Si4420
2. Power Management Command
Bit
15
1
14
0
13
0
12
0
11
0
10
0
9
1
8
0
7
er
6
ebb
5
et
4
es
3
ex
2
eb
1
ew
0
dc
POR
8208h
Bit
er
ebb
et
es
ex
eb
ew
dc
Function of the control bit
Enables the whole receiver chain
The receiver baseband circuit can be separately switched on
Switches on the PLL, the power amplifier, and starts the
transmission (If TX register is enabled)
Turns on the synthesizer
Turns on the crystal oscillator
Enables the low battery detector
Enables the wake-up timer
Disables the clock output (pin 8)
Related blocks
RF front end, baseband, synthesizer, oscillator
Baseband
Power amplifier, synthesizer, oscillator
Synthesizer
Crystal oscillator
Low battery detector
Wake-up timer
Clock output buffer
The ebb, es, and ex bits are provided to optimize the TX to RX or RX to TX turnaround time.
Logic connections between power control bits:
enable
power amplifier
et
Edge
start TX
es
er
ebb
detector
clear TX latch
(If TX latch is used)
enable
RF synthesizer
(osc.must be on)
enable
RF front end
enable baseband
circuits
(synt. must be on)
enable
oscillator
ex
13
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4420DYTR MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
SI4421DY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4427BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
SI4430BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI4435DDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4420-D1-FTR 功能描述:射频发射器 Transceiver EZRadio RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4420DY 功能描述:MOSFET 30V 400a N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4420DY,518 功能描述:MOSFET TRENCH<=30 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4420DY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI4420DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4420DYHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC - Rail/Tube
SI4420DYPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4420DYPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 12.5A, SOIC